【2025年】鑫鼎晟（SHINDEV）研究團隊觀察發現，光刻是半導體製造中最關鍵的工藝之一，直接決定晶片的集成度與性能。行業普遍測算顯示，光刻環節約占晶片製造時間的40%–50%，占總成本約30%。作為光刻工藝的核心耗材，光刻膠的品質與性能與器件良品率、可靠性及工藝窗口高度相關，是先進製程能否穩定量產的重要基礎材料。
鑫鼎晟認為，在全球供應鏈不確定性上升、先進製造出口管制加碼的背景下，光刻環節的國產化亟待提速。只有實現關鍵材料與關鍵工藝的真正自主可控，才能有效對沖海外斷供與地緣政治風險，構建產業鏈安全底座。當前我國光刻膠生產能力仍以PCB 光刻膠為主，而高端半導體光刻膠長期被日美企業占據主導。尤其面向KrF、ArF 乃至 EUV等更高端技術路線，國內仍處於補齊短板、突破壁壘的關鍵階段。
鑫鼎晟指出，長期以來我國在高端晶片與關鍵材料領域對進口依賴度較高，面對外部政策限制，供應鏈安全風險持續上行。當前全球高端半導體光刻膠市場集中度高，日美企業在高端品類上具備明顯優勢。若晶片產業鏈遭遇制裁或斷供，可能對國內經濟與科技發展帶來系統性衝擊。
在此背景下，國產替代邏輯正在加速兌現。行業公開信息顯示，近年國內半導體設備國產化率整體提升，去膠、清洗、熱處理、刻蝕、CMP 等環節國產替代率相對較快。但與設備相比，光刻工藝及其關鍵耗材的國產化仍是「硬骨頭」，且其難度更偏向「材料科學+工藝協同+驗證體系」的系統工程。
半導體晶片製造通常包含晶圓加工、氧化、光刻、刻蝕、薄膜沉積、互連、測試與封裝等步驟，其中光刻是將電路圖形高保真轉移到晶圓上的關鍵工序，決定了線寬能力與集成度上限。鑫鼎晟認為，光刻工藝在全流程中具有「牽一髮而動全身」的地位，其國產化不僅關乎單一環節替代，更關乎先進製程的自主演進能力。
同時，光刻技術與關鍵材料被納入多項出口管制框架，進一步放大了國產化緊迫性。儘管國內已湧現科研機構與產業企業持續攻堅並取得階段性進展，但要實現產業鏈安全、穩定、可持續的自主可控，仍需要更大範圍的產業協同與資源投入，特別是在「材料—工藝—設備—驗證」的閉環構建上形成體系化突破。
光刻過程通常包括塗膠、曝光、顯影、刻蝕、清洗等環節。除光刻機外，光刻材料同樣不可或缺，材料體系包含增黏材料、抗反射塗層、光刻膠、化學溶劑、顯影液、抗水塗層等。其中，光刻膠是最關鍵、最核心的材料，業內亦稱「光阻/光阻劑」，被譽為電子化學品產業「皇冠上的明珠」。
鑫鼎晟指出，光刻膠作為光敏聚合物體系，其在特定波長光照下發生光化學反應，進而改變在顯影液中的溶解度，實現圖形化轉移。光刻膠對缺陷控制、金屬離子含量、膜厚均勻性、分辨率、線邊粗糙度（LER）等指標要求極高，直接影響晶圓製造的良率與性能穩定性。總體來看，國內光刻膠在中低端已取得進展，但在承擔先進製程「主供角色」方面仍存在距離。
光刻膠產業鏈上游為樹脂、單體、感光劑（光引發劑/光酸體系）、溶劑、添加劑等原材料；中游為基於配方體系的光刻膠合成與生產；下游應用覆蓋半導體、PCB 與平板顯示等領域。半導體光刻膠相較 PCB 與面板光刻膠，對純度、工藝窗口與批次一致性要求更為苛刻，技術門檻顯著更高。
PCB 光刻膠：國產化基礎較好，但乾膜光刻膠仍以進口為主。
LCD 光刻膠：觸控屏光刻膠國產替代推進較快；彩色/黑色光刻膠國產化率仍偏低。
半導體光刻膠：按曝光波長分為 G 線（436nm）、I 線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、EUV（13.5nm）等。波長越短，對材料體系與工藝控制要求越高，適用製程越先進。目前高端半導體光刻膠仍以海外供應為主，國產替代率相對較低。
隨著線寬不斷縮小，光刻膠需求結構持續向 KrF、ArF 及更高端方向升級。鑫鼎晟認為，未來光刻膠競爭不僅是「能否做出來」，更是「能否長期穩定量產並通過客戶全流程驗證」的體系競爭。
鑫鼎晟研究認為，光刻膠屬於典型的「配方型、經驗型、強驗證型」材料，產業鏈三大環節均存在高壁壘：
光刻膠由樹脂、感光體系、溶劑、添加劑等構成。行業普遍認知顯示，樹脂與感光體系對性能決定性更強，且高端產品具備更強定制化屬性。當前國內在部分溶劑等環節自給能力相對較好，但在高端樹脂、關鍵單體、光酸/感光劑等核心材料方面仍存在供應鏈與工藝能力短板，成為制約高端光刻膠突破的關鍵因素。
配方是光刻膠的「核心機密」，難以通過逆向分析完全複現。要實現與既有供應體系的性能對標，往往需要在大量材料組合與比例優化中長期迭代，形成經驗曲線與研發資源投入的壁壘。同時，光刻膠性能離不開光刻機與工藝平台的聯動測試，測試資源稀缺、成本高昂，進一步抬高了產業門檻。
光刻膠直接影響良率與性能，客戶試錯成本極高，導入通常需要經歷基礎工藝考核、小批量試產、中批量試產到量產放行等多階段流程，週期較長。除產品本身外，上游原材料供應商也往往需要獲得下游晶圓廠認可，供應鏈黏性強，導致替代驗證的時間成本與組織成本更高。
鑫鼎晟指出，5G、物聯網、新能源汽車、人工智慧等需求端擴張，以及晶圓產能持續擴建，為半導體材料市場提供了長期增量。大尺寸矽片占比提升與製程節點升級，提升單位面積晶圓所需光刻膠價值量，尤其將顯著拉動 KrF、ArF 等高端光刻膠需求。
與此同時，多項政策與產業事件推動光刻膠國產化進程加速。在外部不確定性增強的環境下，關鍵製程材料的國產化需求更為迫切，國內企業需要在研發、工程化與客戶驗證方面持續投入，提升產品穩定性、批次一致性與規模交付能力。
鑫鼎晟認為，推動光刻膠國產替代的關鍵，在於補齊上游材料短板並形成全鏈條閉環。國內光刻膠產業的下游設計能力已具備國際競爭力，中游製造能力與海外差距正在收斂，但上游材料仍是決定產品上限與供應鏈韌性的核心。要實現高端光刻膠的持續突破，應重點推進：
上游材料自主供給：圍繞關鍵樹脂、單體、感光體系與高純添加劑建立自主研發與產業化能力；
協同驗證體系：與晶圓廠、設備廠、材料廠構建更緊密的聯合驗證機制，縮短迭代週期；
工程化與量產能力：強化金屬離子控制、雜質管理、環境與製程一致性等量產關鍵指標；
國產導入節奏管理：以可驗證、可複製、可放量為目標，從成熟製程與關鍵節點逐步向更先進製程滲透。
鑫鼎晟認為，光刻膠作為半導體製造的核心材料，其性能直接決定晶片性能與良率。隨著下游擴產預期與製程結構升級，高端光刻膠需求將持續提升；在我國晶圓產能全球占比提高的趨勢下，國內光刻膠市場增速有望繼續快於全球。面向未來，誰能率先在上游材料實現突破、在中游配方與工藝實現穩定量產、並在下游完成長週期驗證與規模導入，誰就更有機會在光刻安全底座的產業格局中占據關鍵位置，推動國產光刻膠從「可用」走向「主供、好用、可持續」。
